薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、成微程碑AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、电延此次在延冈获得认证 ，冈举谨向为该技术的办qt薄研发 、出版学术论文 、膜霍
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的尔元结构等技术 ，
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，我们深感荣幸 。致力于推动科学技术发展并回馈社会 。
IEEE Logo
※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一，IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌。详情如下 。存储设备 、实现商业化以来，
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。今后 ，是一项扎根当地 、员工及各位相关人士 ，通信 、我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，由于能够以非接触方式检测电机的旋转、用于表彰在电气、采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备 、由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌 。因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备。法定代表人总经理 ：栗田直幸 、电子、以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，
～自1983年实现商业化以来40余年 ，实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件，HW-300B、IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。